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光スイッチの高性能化とは？課題と対策・製品を解説
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光半導体・電子デバイスにおける光スイッチの高性能化とは？
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『小型ロータリーソレノイドOE』は、ボールレースと呼ばれる特殊な傾斜溝を設け、
その働きによって軸方向運動しながら一定角度を瞬時に回転動作する製品です。
光学シャッター、ラボシステムなどの精密機器に採用されています。
回転動作するときの空隙が小さいので、クランクと組合せ直進型に変換したとき、
長ストローク域で直進型より大きな力が得られます。
【特長】
■光学シャッターに採用
■外径がφ20mmと小型で軽量
■回転溝が特殊に加工され、全角度にわたりトルクがほぼ一定
■コイル周囲を高透磁率の金属ケースで覆っているため、漏れ磁束が少ない
■復帰スプリング付のタイプは、外部の復帰機構が不足
※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。
光学シャッターに採用！小型ロータリーソレノイドOE
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光半導体・電子デバイスにおける光スイッチの高性能化
光半導体・電子デバイスにおける光スイッチの高性能化とは？
光半導体・電子デバイスにおける光スイッチの高性能化は、光信号の伝達経路を高速かつ低損失で切り替える技術の向上を指します。これにより、データ通信速度の向上、ネットワークの効率化、そして新たな光応用デバイスの実現が期待されます。
課題
応答速度の限界
従来の光スイッチは、電気信号への変換を伴うため、光信号の切り替え速度に物理的な限界がありました。これにより、超高速通信のボトルネックとなっています。
挿入損失の増大
光信号がスイッチを通過する際に発生する信号強度の低下（挿入損失）は、長距離伝送や多段接続において信号劣化を引き起こし、通信品質を低下させます。
消費電力の増加
高性能化に伴い、スイッチングに必要な駆動電圧や電流が増加し、消費電力が増大する傾向があります。これは、省エネルギー化が求められる現代において課題となります。
小型化と集積度の向上
より多くの機能を搭載し、かつ小型化・高密度集積化を実現することが求められています。これは、デバイスの製造コストや設置スペースに影響します。
対策
直接光スイッチング技術の導入
電気信号への変換を経ずに、光信号を直接切り替える技術を採用することで、応答速度の限界を克服し、超高速化を実現します。
低損失材料・構造の採用
光信号の吸収や散乱を最小限に抑える新しい材料や、光路設計の最適化により、挿入損失を大幅に低減します。
低電圧駆動・省電力設計
スイッチングに必要な駆動電圧を低減する材料や、効率的な駆動回路を設計することで、消費電力を削減します。
集積化技術の進化
フォトニック集積回路（PIC）技術などを活用し、複数の光スイッチや関連機能を一つのチップ上に集積することで、小型化と高密度化を実現します。
対策に役立つ製品例
光導波路型スイッチ
光信号を導波路内で伝搬させ、その経路を物理的に切り替えることで、低損失かつ高速なスイッチングを実現します。材料や構造の最適化により、高性能化が可能です。
電気吸収型変調器スイッチ
電気信号によって光の吸収度を変化させ、光信号のオン/オフを制御するデバイスです。高速応答性と集積性に優れ、高性能化に適しています。
マイクロミラーアレイ
微細な鏡を電気的に傾けて光の反射方向を切り替えるデバイスです。多数の光路を同時に制御でき、柔軟なスイッチングが可能です。
集積型光スイッチモジュール
複数の光スイッチ機能や制御回路を一つのパッケージに集積したモジュールです。小型化、省スペース化、そしてシステム全体の高性能化に貢献します。
