エレクトロニクス部品・材料に関連する気になるカタログにチェックを入れると、まとめてダウンロードいただけます。
データ記憶密度の最大化とは？課題と対策・製品を解説
目的・課題で絞り込む
カテゴリで絞り込む
電子材料 |
電子部品 |
能動部品におけるデータ記憶密度の最大化とは？
各社の製品
絞り込み条件：
▼チェックした製品のカタログをダウンロード
一度にダウンロードできるカタログは20件までです。
当社で取り扱う「4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NORフラッシュメモリ」を
ご紹介いたします。
「4Mb AS25F304MD-10S1IN」および「16Mb AS25F316MQ-10S1IN」は、
最大104MHz の高速読み取り性能と、それぞれ最小1.1msおよび2.6msの
高速プログラムおよび消去時間を組み合わせています。
最大消去/プログラム電流は1.3mAまで。最大読み取り電流は104MHzで3.7mAまでと、
コンピュータ、消費者、通信、IoT市場の需要を満たすように設計されています。
【利点(一部)】
■シングル、デュアル、クワッド(AS25F316MQ-10S1IN)SPIモードで動作
■100,000 回のプログラム/消去サイクルと20年間のデータ保持による
信頼性の高い長期パフォーマンス
■均一な4KBまたは32KBまたは64KB消去
■プログラム/消去の一時停止と再開
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
4Mb,16Mb 3V マルチ入出力 NOR フラッシュメモリ
当社で取り扱う「1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ AS9FxxG08SA」
をご紹介いたします。
自動車、産業、通信、家電市場におけるレガシーSLCパラレルNANDフラッシュ
メモリ製品への需要の高まりに応えるため、アライアンスメモリは、1Gb～8Gbの
密度を備えた新しいAS9Fシリーズの1.8Vおよび3.3Vデバイスを発表。
ブロック消去時間は標準で3msまで短縮されます。
ご要望の際はお気軽にお問い合わせください。
【特長】
■1.8Vおよび3.3VV CC
■1Gbから8Gbまでの密度
■ブロック消去時間は通常3msまで高速
■ONFI 1.0仕様に準拠
■x8 I/O インターフェイス
※英語版カタログをダウンロードいただけます。
詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。
1.8V,3.3V SLC パラレル NANDフラッシュ
お探しの製品は見つかりませんでした。
1 / 1
能動部品におけるデータ記憶密度の最大化
能動部品におけるデータ記憶密度の最大化とは？
能動部品におけるデータ記憶密度の最大化とは、半導体メモリなどの能動部品に、より多くのデータをより小さな物理的空間に記録・保持する技術的目標です。これは、デバイスの小型化、高性能化、低消費電力化、そしてデータ処理能力の向上に不可欠な要素であり、エレクトロニクス産業全体の進化を牽引する重要なテーマです。
課題
微細化の物理的限界
トランジスタや記憶素子の微細化には、量子トンネル効果などの物理的な制約が伴い、これ以上の集積度向上には限界が見え始めている。
消費電力と発熱の増大
高密度化に伴い、素子間の信号干渉やリーク電流が増加し、消費電力とそれに伴う発熱が問題となり、性能維持や信頼性に影響を与える。
製造コストの上昇
より微細な回路パターンや高精度な製造プロセスが必要となり、製造装置や材料のコストが上昇し、製品価格への転嫁が課題となる。
データ保持信頼性の低下
素子が微細化・高密度化するにつれて、外部ノイズや熱によるデータ誤りが発生しやすくなり、長期的なデータ保持の信頼性確保が難しくなる。
対策
新材料・新構造の採用
従来のシリコンに代わる高誘電率材料や、3次元積層構造、新しいメモリセル構造などを導入し、物理的な限界を打破する。
低消費電力化技術の導入
低電圧動作、リーク電流抑制技術、省電力設計アーキテクチャなどを採用し、高密度化に伴う消費電力と発熱問題を解決する。
先進的な製造プロセスの開発
EUVリソグラフィなどの超微細加工技術や、高度な歩留まり改善技術を開発・導入し、製造コストの上昇を抑制しつつ高密度化を実現する。
エラー訂正・冗長化技術の強化
高度な誤り検出・訂正符号（ECC）や、データ冗長化技術をソフトウェア・ハードウェア両面から強化し、データ保持の信頼性を向上させる。
対策に役立つ製品例
高密度不揮発性メモリ
微細化と新材料の組み合わせにより、従来のフラッシュメモリよりも大幅に高い記憶密度を実現し、大容量化と省スペース化を可能にする。
3次元積層型ロジックIC
複数のチップを垂直に積層することで、平面的な面積を抑えつつ、演算能力と記憶容量を同時に向上させる。
低消費電力演算コア
新しいトランジスタ構造や回路設計により、高密度化しても消費電力を抑え、発熱を低減し、デバイスの長寿命化と安定動作に貢献する。
自己修復機能付きストレージ
高度なエラー訂正機能と冗長化技術を組み込み、微細化によるデータ劣化リスクを低減し、長期的なデータ信頼性を確保する。
