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カーフ幅の微細化とは?課題と対策・製品を解説

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半導体組立装置

ウェーハのダイシングにおけるカーフ幅の微細化とは?

ウェーハのダイシングにおけるカーフ幅の微細化とは、半導体チップを製造する際に、ウェーハを個々のチップに切り分ける(ダイシング)工程で発生する切り込み幅(カーフ幅)を可能な限り狭くすることです。これにより、ウェーハ上に配置できるチップ数を増やし、生産効率の向上とコスト削減を目指します。

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創業以来、半世紀という時間の中で築いてきた信頼のネットワークで
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サイズダウン加工、めっきなど その他加工サービス

MEMSや表示デバイス等における要素技術であるフォトエッチング・精密写真技術を用いた微細加工を少量の試作より承ります。ガラス基板、Siウエハ、フィルム、セラミックス等の基板上に薄膜を形成し、フォトリソグラフィー方式により微細なパターンを一貫加工にて形成致します。一枚からの試作に対応可能です。ダイシング、バンプ形成等の試作も対応いたします。また、リフトオフ加工にて、誘電体膜や多層膜のパターン化も可能です。基板サイズは任意にて対応可能。Siウエハやガラス基板のエッチングも可能です。短納期にて対応(要御相談)、リジッド、FPC基板にも対応いたします。
詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

フォトエッチング

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ウェーハのダイシングにおけるカーフ幅の微細化

ウェーハのダイシングにおけるカーフ幅の微細化とは?

ウェーハのダイシングにおけるカーフ幅の微細化とは、半導体チップを製造する際に、ウェーハを個々のチップに切り分ける(ダイシング)工程で発生する切り込み幅(カーフ幅)を可能な限り狭くすることです。これにより、ウェーハ上に配置できるチップ数を増やし、生産効率の向上とコスト削減を目指します。

課題

チップ収量の低下

カーフ幅を狭くすると、ダイシング時のチップ破損リスクが増加し、良品チップの収量が低下する可能性があります。

加工精度の限界

従来のダイシング技術では、物理的な限界からカーフ幅のさらなる微細化が困難になっています。

切削抵抗の増大

カーフ幅が狭くなると、切削抵抗が増加し、加工時間が増加したり、工具の摩耗が早まったりします。

切粉・汚染の増加

微細なカーフ幅での加工は、発生する切粉や汚染物質の除去が困難になり、チップ品質に影響を与える可能性があります。

​対策

高精度レーザー加工

レーザー光を用いて非接触でウェーハを切断することで、物理的な接触によるダメージを最小限に抑え、微細なカーフ幅を実現します。

超音波アシスト加工

超音波振動を付加することで切削抵抗を低減し、よりスムーズで精密なダイシングを可能にします。

最適化された加工条件

加工速度、レーザー出力、冷却方法などを最適化することで、カーフ幅の微細化と加工品質の両立を図ります。

高度なクリーニング技術

加工後に発生する微細な切粉や汚染物質を効率的に除去する、特殊な洗浄技術を導入します。

​対策に役立つ製品例

精密レーザー加工装置

高出力かつ高精度なレーザーを照射し、ウェーハを精密に切断することで、極めて狭いカーフ幅でのダイシングを可能にします。

超音波振動カッター

ダイシングブレードに超音波振動を付与し、切削抵抗を低減させながら、微細なカーフ幅での安定した加工を実現します。

AI駆動型加工制御システム

AIがリアルタイムで加工状況を分析し、最適な加工パラメータを自動調整することで、カーフ幅の微細化と歩留まり向上を両立させます。

高機能洗浄液

微細なカーフ幅に付着した切粉や汚染物質を効果的に除去し、チップの清浄度を維持するための特殊な洗浄液です。

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