サブサーフェスダメージの軽減とは？課題と対策・製品を解説

『電解メッキ』は、イオン化した金属を含む水溶液に基板を入れ、 液中に電気を流して基板の表面に金属を析出させる加工技術です。 蒸着による成膜は通常1μm以下ですが、メッキでは数μｍの膜を形成 可能です。 また、当技術の応用により、微細なメッキパターンを形成する 「セミアディティブ法」という技術もございます。 【特長】 ■液中に電気を流して基板の表面に金属を析出 ■精密加工の分野では金属膜の厚みをかせぐために使用可能 ■数μｍの膜を形成可能 ■微細なメッキパターンを形成する「セミアディティブ法」に応用可能 ■6インチウエハー対応のメッキシステムを導入 ※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

『バックグラインドテープ』は、ウエハ裏面の研削時に回路面を保護できる テープです。 洗浄工程を必要としない粘着剤設計をコンセプトに、低パーティクル性や 安定した研削性を兼ね備えています。 粘着力の経時変化が小さく、はく離性が安定しています。 【特長】 ■ウエハ回路面の凹凸に対する優れた密着性 ■バックグラインド時の安定した研削性(低TTV) ■安定した低パーティクル特性を実現する事で、洗浄工程が不要 ■粘着力の経時変化が小さく、はく離性が安定 ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

バックグラインドテープは、ウェハーの裏面研削（バックグラインド）時に回路面を外的異物による傷、チッピング・クラック（割れ）やコンタミネーションなど の汚染から保護するために使用されます。 ・回路面等凹凸ウエハーに対する優れた密着性 ・優れた易剥離性

MEMSや表示デバイス等における要素技術であるフォトエッチング・精密写真技術を用いた微細加工を少量の試作より承ります。ガラス基板、Siウエハ、フィルム、セラミックス等の基板上に薄膜を形成し、フォトリソグラフィー方式により微細なパターンを一貫加工にて形成致します。一枚からの試作に対応可能です。ダイシング、バンプ形成等の試作も対応いたします。また、リフトオフ加工にて、誘電体膜や多層膜のパターン化も可能です。基板サイズは任意にて対応可能。Siウエハやガラス基板のエッチングも可能です。短納期にて対応（要御相談）、リジッド、FPC基板にも対応いたします。 詳しくはお問い合わせ、もしくはカタログをご覧ください。

創業以来、半世紀という時間の中で築いてきた信頼のネットワークで ウエーハサイズダウン加工、洗浄、めっきなどの加工に対応しております。 「こんな加工が．．．。」と思った時は、お気軽にご相談ください。 その他詳細は、カタログをダウンロード、もしくはお問い合わせ下さい。