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ウェーハ厚みのばらつき低減とは?課題と対策・製品を解説
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ウェーハの研磨におけるウェーハ厚みのばらつき低減とは?
半導体製造プロセスにおいて、シリコンウェーハの表面を平坦化し、所定の厚みに仕上げる研磨工程は、デバイス性能に直結する極めて重要な工程です。ウェーハ厚みのばらつきは、後工程での歩留まり低下やデバイス性能のばらつきを引き起こすため、その低減は半導体業界における永遠の課題となっています。
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当社では3B(φ150)~9B(φ620)までのラップ盤の材料切断からラップ研磨まですべての加工を行っております。0.6mm幅にて円周溝だけでなく井桁溝も加工可能です。
株式会社戸田製作所 水晶発振子研磨機部品
当製品は、Eshylon Scientific社が開発した革新的なモバイル静電キャリアです。
専用キャリアに薄い基板を接着し補強することにより、壊れやすい基板を損傷なく
ハンドリングします。
反りのある極薄ウエハも既存ラインで従来のプロセスを行うことが可能です。
並外れた歩留まり、高い処理能力により、基板の薄膜化のニーズにお応えします。
【特長】
■高スループット
■歩留まり向上
■低コスト
■広域な用途
■接着剤不使用
※詳しくは弊社ウェブサイトまたはPDF資料をご覧いただき、お気軽にお問い合わせ下さい。

