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エッチング時間の短縮とは?課題と対策・製品を解説

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エッチングにおけるエッチング時間の短縮とは?

半導体製造プロセスにおけるエッチング工程は、不要な層を除去し回路パターンを形成する重要なステップです。エッチング時間の短縮は、生産性向上、コスト削減、および微細化・高集積化への対応に不可欠な技術的課題です。

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ナップ工業株式会社から、連続自動エッチングシステムのご案内です。

印刷→乾燥→エッチング→剥離→水洗→拭上→保護膜貼り。

連続自動エッチングシステム

『ミニミニエッチャー』は、小型基板の製作および薬液の実験・開発に適した
装置です。

左右の薬液噴射ノズルが首振り動作する「縦型・左右スプレー」をはじめ、
「横型・上下スプレー」や「水平揺動型・上下スプレー」などをラインアップ。

少量の薬液でのエッチングが可能で、数枚単位の基板製作に対応出来、
また、薬液の交換も容易で、省スペースにて設計されています。

【特長】
■小型基板の製作および薬液の実験・開発に好適
■少量の薬液でのエッチングが可能
■数枚単位の基板製作に対応
■薬液の交換も容易
■省スペース設計

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

エッチング実験装置『ミニミニエッチャー』

大村技研株式会社はガス関連事業と半導体関連事業が密接に結びついている企業です。各種生産工場(半導体・液晶・食料品・機械)、研究所等が当社の得意なフィールドです。大村技研の技術は、半導体業界、液晶、燃料電池、エコ関連、食品工場、各種製造プラント、薬品研究所、 研究機関等、精密性・緻密性・安全性を厳格に求められる多くの業界で採用されています。
当社は半導体のフィールドで培った豊富な経験と、信頼のネットワークを生かし、お客様の仕様に応じて受託加工を行っています。当社の受託加工サービスは、装置開発・評価、各種材料開発・評価、装置のパーツ、お客様の試作・研究開発などで多数のお客様にご利用いただいております。
ウェーハファウンドリーサービスとして
○SOIウエーハ
○シリコンウェーハ販売
○成膜加工(CVD)
○成膜加工(PVD)
○パターニング
○ナノパターン
○その他加工サービス
をおこなっております。いつでもお気軽のお問い合わせください。

詳しくはお問い合わせ、またはカタログをダウンロードしてください。

大村技研株式会社 会社案内&ウエーハファウンドリー

【カテゴリー】
凝集不良、脱水不良、水質改善、臭気対策、重金属対策、土壌改良対策、濁水処理、エッチング剤等

【特長】
■凝集剤、重金属除去、リン除去
■脱硫、脱臭、脱色
■エッチング剤(42°Bé~47°Bé)

【濃度】
40°Bé 42°Bé 47°Bé 50°Bé
※濃度調整が必要な際はご相談ください。

※詳しくはPDFをダウンロードして頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

塩化第二鉄液

本製品は、パワー・周波数の異なるプラズマを生成する製品です。

2タイプのパルスユニットを搭載しており、制御ユニット、
パルスユニットB、DC電源ユニット、パルスユニットA、
ブレーカーユニット、抵抗ユニットの6つで構成されています。

【特長】
■2タイプのパルスユニット搭載
■パワー・周波数の異なるプラズマを生成

※詳しくはカタログをご覧頂くか、お気軽にお問い合わせ下さい。

高周波・ハイパワーパルス電源

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エッチングにおけるエッチング時間の短縮

エッチングにおけるエッチング時間の短縮とは?

半導体製造プロセスにおけるエッチング工程は、不要な層を除去し回路パターンを形成する重要なステップです。エッチング時間の短縮は、生産性向上、コスト削減、および微細化・高集積化への対応に不可欠な技術的課題です。

課題

プロセス時間の長期化による生産性低下

微細化が進むにつれて、より精密なエッチングが求められ、結果としてエッチング時間が長くなる傾向にあります。これにより、半導体ウェハーの処理能力が低下し、生産効率が悪化します。

コスト増加と歩留まりへの影響

エッチング時間が長引くと、プラズマ発生やガス消費などのコストが増加します。また、長時間のエッチングは、意図しない副反応やダメージを引き起こし、歩留まり低下のリスクを高めます。

微細パターン形成における制御性の課題

ナノスケールでの微細パターン形成において、エッチング時間を短縮しつつ、高い解像度と均一性を維持することは困難です。エッチング速度の制御が難しく、パターン寸法のばらつきが生じやすいです。

新材料への対応とエッチング速度の限界

次世代半導体で用いられる新しい材料は、従来の材料よりもエッチングが難しい場合があります。これらの材料に対して、安全かつ高速にエッチングを行う技術開発が追いついていない状況です。

​対策

高密度プラズマ生成技術の導入

より高密度のプラズマを生成することで、エッチング反応を促進し、単位時間あたりの除去レートを向上させます。これにより、エッチング時間を大幅に短縮することが可能です。

反応ガスの最適化と添加剤の活用

エッチング反応に最適なガス組成を探索し、反応を促進する添加剤を少量加えることで、エッチング速度を向上させます。これにより、より効率的な材料除去を実現します。

高度なプロセス制御システムの開発

リアルタイムでエッチング状態をモニタリングし、プラズマ密度やガス流量などを精密に制御するシステムを導入します。これにより、最適なエッチング条件を維持し、時間を短縮しながら品質を確保します。

新しいエッチング手法の研究開発

従来の乾式エッチングや湿式エッチングに加え、イオンビームエッチングやレーザーエッチングなど、より高速かつ高選択的な新しいエッチング手法を開発・適用します。これにより、材料やパターンに応じた最適な高速エッチングを実現します。

​対策に役立つ製品例

高周波電源装置

高周波エネルギーを効率的にプラズマに供給し、高密度プラズマを生成することで、エッチング反応速度を向上させ、処理時間を短縮します。

精密ガス供給システム

複数のガスを正確かつ迅速に混合・供給するシステムにより、エッチング反応に最適なガス組成を常に維持し、エッチング速度の安定化と高速化に貢献します。

インライン計測・制御モジュール

エッチング中のウェハー表面の状態をリアルタイムで計測し、プロセスパラメータを自動調整することで、最適なエッチング速度を維持し、無駄な時間を削減します。

特殊エッチングガス

特定の材料に対して高い反応性を持つ、または副反応を抑制する特殊なエッチングガスを使用することで、より高速かつ高選択的なエッチングを可能にし、時間を短縮します。

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