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ウェーハ表面の超平坦化とは?課題と対策・製品を解説

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平坦化におけるウェーハ表面の超平坦化とは?

半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ表面を原子レベルで平坦に仕上げる技術です。微細化が進む半導体デバイスの性能向上と歩留まり改善に不可欠な工程であり、回路パターンの精度や積層構造の均一性を保証します。

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『ベラトリックス(Bellatrix)』は、シリコンウェハ、半導体材料、
ハードディスク、ガラス等の超精密研磨加工向けの研磨パッドです。

お客様が追及される超精密仕上げ表面が得られるよう各種タイプ別の
豊富な製品をラインアップ。

硬質不織布に特殊硬化処理を施した「N0271」や軟質ベースに
軟質NAP層を形成し、微細な砥粒と相まって優れた仕上げ面を
作り上げる「N7512」がございます。

【ラインアップ】
■N0271:ストックリムーバル用パッド
■K0013:ストックリムーバル用パッド
■N7512:ファイナルポリッシング用パッド
■K0034:ファイナルポリッシング用パッド
■NP385:ファイナルポリッシング用パッド

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【研磨パッド(PAD)】超精密研磨加工向け 『ベラトリックス』

グローバルネット株式会社では、GNCの加工ファンドリーをはじめ、
GNCパターンウエハサービス等を提供しています。

シリコンウエハ、ガラスなどを主に、お客様のニーズに応じた
加工サービスを提供。

基板の手配、マスク設計からの一貫生産の対応が可能です。

【事業概要】
■GNCの加工ファンドリー
・成膜ファンドリー
・プロセス評価
■GNCパターンウエハサービス
・GNC微細パターンウエハ
・GNC先端CMP評価用パターンウエハ
・GNC MEMS・シリコン特殊加工サービス
■GNC 2.1D/2.5D/3Dソリューション
・バンプウエハ・再配線加工/FOWLPプロセスサービス

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

GNCパターンウエハサービス等受託加工サービスのご紹介

半導体CMP工程に使用する『Ceria Slurry』は80~300nmの粒子と超純水
及びケミカルを混合して作った懸濁液です。

研磨対象物の膜質を科学的及び機械的に研磨する役割を果たします。

また研磨時にCeria Slurryと一緒に使用する「Additive」は膜質によって
半導体工程で要求する選択的な研磨を可能にします。

【特長】
■Slurryの低温、高温での安定性が優秀
■粒子の凝視が少ない
■添加剤とMixingすると常用性が優秀になる
■高い研磨率を保有
■優秀なDefect、Scratch、Dishingの制御能力を持っている

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

懸濁液『Ceria Slurry』

シリコンウエハーの膜加工(CMP)や薄板加工を行うのに最適です。 膜種はLow-K膜用対応装置や導電体用装置、絶縁膜用装置があります。 ウエハー材料の薄板加工は別オプション装置により、30μm・50μmまで薄くしたWaferを単体で剥離する事も可能です。

φ300対応CMP装置  TCRM900

昨今の加工技術に求められる微細加工や多様化された超高度な精度要求を解決すべく、また、現状のラップ・ポリッシュ加工ラインを生かしつつ更なる精度追求を可能にした超高精度加工工程において必要なワーク仮固定方式としてボンディング装置で貴社の開発・生産ラインのサポートを致します。

真空貼り合せ装置(ボンディング装置)VAP250

いつの時代も未来は読めないのが当たり前の中、少しだけでも
「精密研磨パッド」の未来を想像してみました。

そもそも「精密研磨パッド」は半導体製造や液晶製造などの高度な産業に
欠かせない重要な役割を果たしています。

この業界では常に高い精度と均一性が求められる為、
「精密研磨パッド」の進化が重要な課題となっています。

この世界を更に深堀し「精密研磨パッド」の未来の可能性について
考えてみます!

※コラムの詳細内容は、関連リンクより閲覧いただけます。
 詳しくは、お気軽にお問い合わせ下さい。

【研磨パッド(PAD)】精密研磨パッドの未来はどうなる?

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平坦化におけるウェーハ表面の超平坦化

平坦化におけるウェーハ表面の超平坦化とは?

半導体製造プロセスにおいて、ウェーハ表面を原子レベルで平坦に仕上げる技術です。微細化が進む半導体デバイスの性能向上と歩留まり改善に不可欠な工程であり、回路パターンの精度や積層構造の均一性を保証します。

課題

微細構造の維持困難

ナノメートルオーダーの微細な回路パターンや積層構造を損なわずに、表面を平坦化することが技術的な課題となっています。

異物混入リスク増大

超平坦化プロセスでは、微細な異物でも欠陥の原因となりやすいため、高度な清浄度管理と異物除去技術が求められます。

プロセス制御の複雑化

均一な平坦性を実現するためには、研磨剤の組成、圧力、温度、時間などのプロセスパラメータを極めて精密に制御する必要があります。

材料選択の制約

ウェーハ材料や積層材料の種類によって、最適な平坦化手法や研磨剤が異なり、材料開発との連携が重要となります。

​対策

精密研磨技術の進化

化学機械研磨(CMP)における研磨パッドやスラリーの改良、および新たな研磨メカニズムの導入により、より高精度な平坦化を実現します。

高度な清浄化システム

クリーンルーム環境の徹底、特殊洗浄液の使用、およびインラインでの異物検査・除去装置の導入により、異物混入を最小限に抑えます。

プロセス最適化と自動化

AIや機械学習を活用したプロセスシミュレーションと、リアルタイムでのパラメータ調整、自動化されたプロセス制御システムを導入します。

新規材料・プロセス開発

平坦化に適した新規研磨剤や、ウェーハ材料との親和性が高いプロセス技術を開発し、材料設計段階から平坦化を考慮します。

​対策に役立つ製品例

高機能研磨スラリー

ナノ粒子サイズと組成が精密に制御されており、ウェーハ表面の微細構造を保護しながら効率的に平坦化を促進します。

特殊洗浄装置

超純水や特殊ガスを用いて、ウェーハ表面に付着した微細な異物を効果的に除去し、清浄度を維持します。

プロセス制御ソフトウェア

リアルタイムのセンサーデータに基づき、研磨条件を自動で最適化し、一貫した平坦性を実現します。

次世代研磨パッド

均一な研磨力を提供し、ウェーハ表面へのダメージを最小限に抑えつつ、高い平坦度を実現する素材と構造を持っています。

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