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ウェーハ損傷の防止とは?課題と対策・製品を解説

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エッチングにおけるウェーハ損傷の防止とは?

半導体製造プロセスにおけるエッチング工程では、不要な膜を除去するために化学的または物理的な手法が用いられます。この際、意図しないウェーハ表面へのダメージ(損傷)が発生する可能性があり、これがデバイスの性能低下や歩留まりの悪化に繋がります。エッチングのウェーハ損傷の防止とは、これらのダメージを最小限に抑え、高品質な半導体デバイスを安定的に製造するための技術や対策全般を指します。

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BS-ET処理(アルミ用特殊エッチング 化学ブラスト調処理)は、半導体やFPDの製造工程における静電気による不具合などの防止に適しています。各種アルマイトやめっき処理などのアルミの前処理として併用します。
ブラスト調に表面を荒らして接触面積を減らすことで、接触帯電、剥離帯電を軽減します。小物製品から大物製品まで対応可能です。

BS-ET処理 アルミ用特殊エッチング 化学ブラスト調処理

当製品は、半導体製造装置のプロセスチャンバー用の真空ゲートバルブです。

カム駆動式による逆圧対応の「シングルゲートバルブ」と完全水平移動の為、
Oリングの擦れが無い「デュアルゲートバルブ」をラインアップ。

お客様ご要求仕様に基づくカスタマイズも承ります。

【特長】
〈デュアルゲートバルブ〉
■完全水平移動の為、Oリングの擦れが無い
■左右の独立駆動によりPM/TMチャンバーのメンテナンス性が向上
■コンパクト設計(シングルバルブと同サイズ)
■開口45×450mmに対応

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

角型ゲートバルブ

エンプラ、スーパーエンプラ、GF/CF高配合材料・成型品など、加工が難しい素材の高精度可能に対応していく中で、
耐薬液バルブのバリレス加工技術(新工法)を確立しました。

半導体・医療用のバルブ製品の穴と穴のつなぎ目=交点にバリが発生し易く、
このバリが深部で発生するために除去が難しいといった課題がありましたが、
刃具の開発と最適加工条件に取り組んだ結果、バルブ内径のつなぎ部の<バリレス加工>を確立しました。

導入検討の際に参考にしやすい内容となっております。
ぜひダウンロードしてご覧ください。

【掲載内容】
■耐薬液バルブのバリレス加工技術の確立
・課題
■熱可塑性樹脂の超硬度材料切削技術
・課題
・技術

※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

【半導体・医療用バルブ】新工法:耐薬液バルブのバリレス加工技術

『AS-Fコーティング』は、離型・耐食・凝着防止に特化した独自のコーティングです。

特にハロゲン系ガスに対する優れた耐食性がメリットで、半導体製造工程で
使われる製品に好適。すでに多くの治具や金型に採用されています。

また、Hv1200の膜硬度をもつほか、ハスの葉のような表面構造で
離型性や摺動摩耗性にも優れています。

【特長】
■フッ素に反応しない特殊ターゲットを使用
■結晶のないアモルファス組織で、腐食成分の浸透を防止
■耐食性の高い成分をPVD製法で成膜することで高い密着性を確保

※詳しくはダウンロードボタンより資料をご覧ください。

★「試作無料キャンペーン」を実施中。(申し込み期限:2021年12月6日)
 お問い合わせフォームよりお気軽にお申し込みください。

フッ素対策コーティング『AS-Fコーティング』

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エッチングにおけるウェーハ損傷の防止

エッチングにおけるウェーハ損傷の防止とは?

半導体製造プロセスにおけるエッチング工程では、不要な膜を除去するために化学的または物理的な手法が用いられます。この際、意図しないウェーハ表面へのダメージ(損傷)が発生する可能性があり、これがデバイスの性能低下や歩留まりの悪化に繋がります。エッチングのウェーハ損傷の防止とは、これらのダメージを最小限に抑え、高品質な半導体デバイスを安定的に製造するための技術や対策全般を指します。

課題

過剰なエッチングによる膜厚減少

エッチング時間が長すぎたり、エッチングレートが高すぎたりすると、目的の膜厚よりも過剰に除去されてしまい、回路の断線や性能低下を引き起こす可能性があります。

表面粗さの増大

エッチングプロセス中にウェーハ表面に微細な凹凸や粗さが生じると、後工程での膜形成やパターニングに悪影響を与え、デバイスの信頼性を損なうことがあります。

異物付着による欠陥発生

エッチングに使用されるガスやプラズマ中に含まれる不純物、あるいは装置からのパーティクルがウェーハ表面に付着し、ショートやリークといった電気的な欠陥の原因となります。

プラズマダメージによる特性劣化

プラズマエッチングでは、高エネルギーのイオンやラジカルがウェーハ表面に到達し、材料の化学結合を切断するだけでなく、シリコン結晶構造の損傷や電荷蓄積を引き起こし、デバイスの電気特性を劣化させる可能性があります。

​対策

エッチング条件の最適化

エッチングガス流量、圧力、温度、RFパワーなどのパラメータを精密に制御し、目的のパターンを正確かつ低ダメージで形成できる条件を見つけ出します。

低ダメージエッチング技術の導入

イオンのエネルギーを低減したり、ラジカルの反応性を制御したりすることで、ウェーハ表面への物理的・化学的なダメージを最小限に抑えるエッチング手法を採用します。

高純度材料とクリーン環境の維持

エッチングに使用するガスや薬液の純度を高め、装置内部やクリーンルームの清浄度を徹底的に管理することで、異物混入による欠陥を防止します。

プロセスモニタリングとフィードバック制御

エッチング中の膜厚変化や表面状態をリアルタイムで計測し、そのデータを基にエッチング条件を自動調整することで、常に最適な状態を維持します。

​対策に役立つ製品例

精密ガス流量制御装置

エッチングガスを極めて正確な流量で供給することで、エッチングレートの安定化と均一性を実現し、過剰なエッチングや膜厚のばらつきを防ぎます。

低ダメージプラズマ発生源

イオンエネルギーを低く抑えつつ、必要なエッチング反応を効率的に行うプラズマを生成することで、ウェーハ表面への物理的ダメージを軽減します。

高純度ガス供給システム

エッチングプロセスで使用されるガスから微量の不純物を徹底的に除去し、ウェーハ表面への異物付着による欠陥発生リスクを低減します。

インライン膜厚測定システム

エッチング中のウェーハ表面の膜厚をリアルタイムで計測し、目標値に達した時点でエッチングを停止させることで、過剰なエッチングを防ぎます。

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