成膜速度の向上とは？課題と対策・製品を解説

金属や高分子材料の表面に薄膜を製膜することにより、材料表面の 機械的性質、熱的性質、化学的性質、電気的性質をコントロールする ことができます。 この表面改質に用いる薄膜の製膜方法には、真空蒸着法やPVD法、 プラズマCVD法など、様々な方法を採用。今後とも新たな製膜方法の 探索や開発が続けられていくものと考えられます。 そこで当資料では、「高出力型のキセノン・エキシマ・ランプ」を 利用した薄膜製造プロセスの可能性について、検討を行った結果を ご紹介しております。 【掲載内容】 ■はじめに ■「高出力型のキセノン・エキシマ・ランプ」を用いた光CVD法の製膜速度 ■おわりに ※詳しくはPDF資料をご覧いただくか、お気軽にお問い合わせ下さい。

統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源による、成膜装置のプレヒートの事例紹介です。 真空環境下においても非接触・高速昇温性を持った ハロゲンランプヒータを使用することにより 半導体・FPD・太陽電池などの成膜工程において タクトタイム短縮に貢献することができる ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。

光ファイバー（製造装置）では、フィンランドに生産拠点を持つ光ファイバ及びケーブル製造装置のトップクラスの専門メーカーNextrom社の装置をご紹介します。「OFC12母材製造装置」Nextrom社は1985年以来、MCVD法（内付気相堆積法）による光ファイバ母材製造装置を供給しています。「OFC20光ファイバ線引装置」ネクストロムの光ファイバ紡糸タワーOFC20はSMファイバ高速に対応しており、母材径最大200mmまで可能です。「OFC35スクリーニング装置」光ファイバを高速(最大線速2700m/min)で巻替スクリーニングします。詳しくはカタログをダウンロードしてください。

伝統と豊富な実績を持つウシオ社の 光加熱用光源の実用例（加熱/成膜）のご紹介です 【特徴】 ○使用光源：ハロゲンランプヒータ ○半導体・FPD・太陽電池などの製造プロセスにおける 　金属膜、絶縁膜の形成に用いられる 　CVDやスパッタリング装置の熱源として最適 ○さらに成膜前の、水分除去や予備加熱にハロゲンランプヒータを 　用いることで、スループット向上と高品質な膜形成を実現 ●その他機能や詳細については、お問合わせ下さい。